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產(chǎn)品詳情
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時IGBT芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高。這給IGBT測試帶來了一定的困難:
1、IGBT是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測試;
2、IGBT的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試;
3、IGBT的電流輸出能力很強(qiáng),測試時需要快速注入1000A級電流,并完成壓降的采樣;
4、lGBT耐壓較高,一般從幾千到一萬伏不等,需要測量儀器具備高壓輸出和高壓下nA級漏電流測試的能力;
5、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯，嚴(yán)重時容易造成器件燒毀,需要提供us級電流脈沖信號減少器件自加熱效應(yīng);
6、輸入輸出電容對器件的開關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結(jié)電容不同,C-V測試十分有必要。
普賽斯功率器件靜態(tài)測試解決方案
普賽斯功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
IGBT測試系統(tǒng)圖
普賽斯功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至12kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測量
nA級漏電流, μΩ級導(dǎo)通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動切換電路與測量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試
擴(kuò)展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的##表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線，###了國內(nèi)IGBT測試的技術(shù)潮流。
功率半導(dǎo)體器件IGBT測試機(jī)單管|模塊檢測儀聯(lián)系我們：
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