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800V架構(gòu)帶來的直接性能提升，疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好，推動(dòng)新能源汽車成為SiC未來5年核心應(yīng)用陣地。
SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測試參數(shù)
近年來IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中蕞基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。
隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要